01
配備高亮度、長壽命的肖特基場發(fā)射電子槍
02
分辨率高，30 kV下優(yōu)于1 nm的極限分辨率
03
三級磁透鏡設計，束流可調范圍大
04
*低真空模式，以及高性能的低真空二次電子探測器，可觀察導電性弱或不導電樣品
05
無漏磁物鏡設計，可直接觀察磁性樣品
06
標配的光學導航模式，中文操作軟件，讓分析工作更輕松
配備高亮度、長壽命的肖特基場發(fā)射電子槍
分辨率高，30 kV下優(yōu)于1 nm的極限分辨率
三級磁透鏡設計，束流可調范圍大
*低真空模式，以及高性能的低真空二次電子探測器，可觀察導電性弱或不導電樣品
無漏磁物鏡設計，可直接觀察磁性樣品
標配的光學導航模式，中文操作軟件，讓分析工作更輕松
PA-玻纖復合材料
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×500
二氧化硅微球
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×80000
金屬斷口
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×5000
金屬微觀組織（鋁銅焊接件）
加速電壓：20 kV / 放大倍率：×10000
水菜花花粉
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×50000
鈦酸鍶鋇陶瓷
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×10000
鈦合金
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×5000
鈦合金
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×10000
| 關鍵參數 | 分辨率 | 1 nm @ 30 kV，SE |
| 0.9 nm @ 30 kV, STEM | ||
| 加速電壓 | 200 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 1,000,000 x | |
| 電子槍類型 | 肖特基場發(fā)射電子槍 | |
| 樣品室 | 真空系統(tǒng) | 全自動控制 |
| 低真空模式（選配） | 最大180Pa | |
| 攝像頭 | 雙攝像頭（光學導航+樣品倉內監(jiān)控） | |
| 行程 | X：120 mm | |
| Y：115 mm | ||
| Z：50 mm | ||
| T: -10°~ +90° | ||
| R: 360° | ||
| 探測器和擴展 | 標配 | 側向低角度電子探測器 |
| 選配 | 低真空二次電子探測器 | |
| 背散射電子探測器 | ||
| STEM自動插入式掃描透射探測器 | ||
| 樣品交換倉 | ||
| EDS能譜儀 | ||
| EBSD背散射衍射 | ||
| EBIC電子束感生電流 | ||
| CL陰極熒光 | ||
| 高低溫原位拉伸臺 | ||
| 納米機械手 | ||
| 大圖拼接 | ||
| 軌跡球&旋鈕控制板 | ||
| 軟件 | 語言 | 中文 |
| 操作系統(tǒng) | Windows | |
| 導航 | 光學導航、手勢快捷導航 | |
| 自動功能 | 自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散 |
